在一定条件下，ga和as可以合成gaas、gaas，且(ch3 gaas、(ch3)ga的晶型不同。gaas是金属元素吗？gaas砷化镓是ⅲ ⅴ族元素的化合物，呈暗灰色固体，熔点1238℃，gaas是一种新型化合物半导体材料，在砷化镓(化学式:gaas gaas)中，施主是gaas，施主是深能级，这个氧原子还可以和其他点缺陷形成复合点缺陷，都起到施主作用。
在1、砷化镓(化学式为 gaas
2、 gaas中起施主作用的是
gaas中，施主是施主类型的深层次；这个氧原子还可以和其他点缺陷形成复合点缺陷，都起到施主作用。一个as原子占据了ge原子的位置，as原子有五个价电子，其中四个与周围的四个ge原子形成共价键，剩下一个价电子。同时，as原子多了一个正电荷 q，称为带正电荷中心的as 原子。这个额外的价电子以 的形式束缚在正电荷中心周围，但这种束缚作用比共价键弱得多。它可以脱离束缚，变成一个能量很小的导电电子。这种能释放电子产生导电电子并形成正电荷中心的杂质称为施主杂质。
gaas和(ch3)ga的晶体类型不同。gaas的晶体结构为闪锌矿型，即采用纤锌矿结构；具体结构为六方密排晶体结构(简称hcp)。在这种结构中，每个镓离子被四个砷离子和四个镓离子包围。这种晶体的合金化特性可以通过在gaas单晶中掺杂杂质来实现。(ch3)ga是分子式为ga(ch3)3的有机金属化合物。它是三甲基镓的有机衍生物，没有固定的晶体结构，但呈现液态或气态形式。
gaas砷化镓是ⅲ ⅴ族元素的化合物，为黑灰色固体，熔点1238℃。在低于600℃的空气中能稳定存在，不被酸氧化。砷化镓可用作高电子迁移率、低介电常数、低电子有效质量和特殊能带结构的半导体材料，并可用作外延片。
5、ga和as在一定条件下可以合成 gaas, gaas是一种新型化合物半导体材料,其性...(1)在ga原子的原子结构示意图中，最外层有四个电子层和三个电子，因此属于第四周期的iiia族，33号元素也是如此，其原子结构示意图如下；所以，答案是:第四周期的群iiia；(2)ga是31号元素，所以ga的核外电子排列公式为1s 22s 22 p 63s 23 p 63d 104s 24 p 1；；所以答案是:1s 22s 22 p 63s 23 p 63d 104s 24 p 1；；(3)gacl3 _ 3的价电子对数为3 12(33×1)3，没有孤电子对，其空间构型为平面三角形结构；asf3中价电子对的数目为3 12(53×1)4，有一个孤电子对，所以它的空间构型是三角锥。所以答案是:平面三角形，三角锥；(4)4)sic的结构与金刚石相似，金刚石是原子晶体，而碳化硅是高熔点、高硬度的原子晶体；所以，答案是:原子硬度高，熔点高；(5)同一周期，va族元素的第一电离能大于via族元素，as和se属于同一周期，as是va族元素，se是via族元素，所以第一电离能as > se所以答案是:>；(6)根据图片，每个s离子连接四个zn离子，它们是匹配的。
