电子的迁移率很大。电子迁移率或空穴迁移率，哪个更大？迁移率是指单位电场作用下载流子(电子和空穴)的平均漂移速度，是对电场作用下载流子运动速度的一种度量，他们移动得越快，机动性就越强，在同一种半导体材料中，不同类型的载流子具有不同的迁移率，通常电子的迁移率高于空穴的迁移率，迁移率是指单位电场作用下载流子(电子和空穴)的平均漂移速度，是对电场作用下载流子运动速度的一种度量。他们移动得越快，机动性就越强，行动缓慢，机动性低。
液晶面板可分为非晶硅和多晶硅两大类。两者最大的区别在于一个特点:电子迁移率。多晶硅的分子结构排列整齐且有方向性，像平坦的路面可以开公交车，而非晶硅则像崎岖的山路一样混乱，只能让人通过。理论上多晶硅的电子迁移率比非晶硅快200300倍。lcd面板的每个像素由薄膜晶体管组成的电路单独控制，并且该电路集成在每个像素中。
在笔记本和手机的屏幕上，可以集成的像素更多，从而达到更高的分辨率。同时因为电路变小了，透光率高，功耗也降低了。以前的手机和笔记本分辨率不高，屏幕不薄，边框不窄。归根结底是电子迁移率导致了打开率低。为了改善非晶硅电子迁移率低的问题，夏普等厂商引入了igzo技术，改善了非晶硅电子迁移率低的问题，但电子迁移率仍然只有ltps的1/2，甚至更低。
迁移率单位换算:mos晶体管的饱和电流公式为ids 0.5 * u * cox * w/l * (vgsvth) 2。计算时注意单位的统一，单位面积电容公式为coxε(sio2)/tox，其中ε(sio2)为10 ^ 10f/m数量级。迁移率是指单位电场作用下载流子(电子和空穴)的平均漂移速度，是对电场作用下载流子运动速度的一种度量。他们移动得越快，机动性就越强。
在同一种半导体材料中，不同类型的载流子具有不同的迁移率，通常电子的迁移率高于空穴的迁移率。技术应用普通半导体材料的迁移率通常为102，106 cm2/v.s..利用调制掺杂技术制作的调制掺杂异质结的迁移率可以达到106 cm2/v.s .以上，迁移率是表征半导体的一个重要参数。迁移率越大，器件运行越快，截止频率越高。砷化镓的电子有效质量比硅小得多，所以砷化镓被用来制作高频器件。
3、载流子迁移率的介绍载流子迁移率是指单位电场作用下载流子(电子和空穴)的平均漂移速度，即电场作用下载流子运动速度的度量。更微观的定义是载流子的有效质量和电子碰撞的时间间隔。迁移率是指单位电场作用下载流子(电子和空穴)的平均漂移速度，是对电场作用下载流子运动速度的一种度量。他们移动得越快，机动性就越强。行动缓慢，机动性低。在同一种半导体材料中，不同类型的载流子具有不同的迁移率，通常电子的迁移率高于空穴的迁移率。
迁移率主要影响晶体管的两个性质:一是载流子浓度共同决定了半导体材料的电导率(电阻率的倒数)。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时功耗越小，载流能力越大。由于电子的迁移率一般高于空穴，所以功率mosfet通常采用以电子为载流子的n沟道结构，而不是以空穴为载流子的p沟道结构。其次，它影响设备的工作频率。
4、锗的 电子迁移率是多少3900 cm2/(伏秒)。锗的电子迁移率为3900 cm2/(伏-秒)，其电子迁移率是硅的10倍，因此有望替代硅制造更好的晶体管。锗是一种化学元素，符号ge，原子序数32，原子量72.64。它的化学性质类似于同一家族中的锡和硅。不溶于水、盐酸和稀苛性碱溶液，溶于王水、浓硝酸或硫酸，具有两性性质，故溶于熔融碱、过氧化物、碱金属硝酸盐或碳酸盐，在空气中相对稳定。
5、 电子迁移率和空穴迁移率哪个大?空穴做的其实是电子运动留下的“空位”。当一个电子移动并留下一个“空位”时，另一个电子填充了这个“空位”，留下一个新的看起来在移动的“空位”，空穴的概念就是这么来的，所以空穴的运动是不同电子运动的结果。如果把运动的电子比作直奔终点站的火车，那么空穴的运动就像是每一次都在中途，电子的迁移率很大。
