ccd设计，什么是super had ccd -pg电子游戏试玩平台网站

1，什么是super had ccd

答： ccd的单位面积也越来越小，微小镜片技术，已经无法再提升感亮度，如果将ccd组件内部放大器的放大倍率提升，将会使杂讯也被提高，画质会受到明显的影响。索尼在ccd技术的研发上又更进一步，将以前使用微小镜片的技术改良，提升光利用率，开发将镜片的形状最优化技术，即索尼 super had ccd技术。基本上是以提升光利用效率来提升感亮度的设计，这也为目前的ccd基本技术奠定了基础。

什么是super had ccd

2，什么是ccd测量仪器

用于工业监测的的一种仪器，ccd，英文全称：charge-coupled device，中文全称：电荷耦合元件。可以称为ccd图像传感器。ccd是一种半导体器件，能够把光学影像转化为数字信号。 ccd上植入的微小光敏物质称作像素（pixel）。一块ccd上包含的像素数越多，其提供的画面分辨率也就越高。ccd的作用就像胶片一样，但它是把图像像素转换成数字信号。主要应用有：ccd成像测量检测设计基于ccd成像技术测量设计ccd成像测量检测设计ccd共面测量检测设备设计全自动ccd测量检测设备设计 ccd平面度测量检测设备设计自动影像测量检测设备设计半自动ccd测量检测设备设计半自动ccd测量检测设备设计工业零件测量与检测系统设计高速线阵检测系统设计高精度系统检测设备设计大幅面、快速的线扫描检测设计高难度面阵检测设计零部件测量检测设备设计快速自动接触检测工具设计非接触数字化测量检测设备设计自动化的工艺检测工具设计快速自动化测量检测设备设计ccd成像测量设备设计基于ccd视觉技术的复杂形面焊接件检查仪器设计基于ccd视觉技术的冲压件模具检查仪器设计基于ccd视觉技术的工件几何尺寸的检查仪器设计

ccd，英文全称：charge-coupled device，中文全称：电荷耦合元件。可以称为ccd图像传感器。ccd是一种半导体器件，能够把光学影像转化为数字信号。 ccd上植入的微小光敏物质称作像素（pixel）。一块ccd上包含的像素数越多，其提供的画面分辨率也就越高。ccd的作用就像胶片一样，但它是把图像像素转换成数字信号。ccd上有许多排列整齐的电容，能感应光线，并将影像转变成数字信号。经由外部电路的控制，每个小电容能将其所带的电荷转给它相邻的电容。ccd测量仪器就是利用光电测量技术制成的测量仪器.

什么是ccd测量仪器

3，ccd是不是真的比cmos差

ccd cmos 设计单一感光器感光器连接放大器灵敏度同样面积下高感光开口小，灵敏度低成本线路品质影响程度高，成本高 cmos整合集成，成本低解析度连接复杂度低，解析度高低，新技术高噪点比单一放大，噪点低百万放大，噪点高功耗比需外加电压，功耗高直接放大，功耗低由于构造上的基本差异，我们可以表列出两者在性能上的表现之不同。ccd的特色在于充分保持信号在传输时不失真（专属通道设计），透过每一个像素集合至单一放大器上再做统一处理，可以保持资料的完整性；cmos的制程较简单，没有专属通道的设计，因此必须先行放大再整合各个像素的资料。　　整体来说，ccd 与 cmos 两种设计的应用，反应在成像效果上，形成包括 iso 感光度、制造成本、解析度、噪点与耗电量等，不同类型的差异：　　iso 感光度差异：由于 cmos 每个像素包含了放大器与a/d转换电路，过多的额外设备压缩单一像素的感光区域的表面积，因此相同像素下，同样大小之感光器尺寸，cmos的感光度会低于ccd。　　成本差异：cmos 应用半导体工业常用的 mos制程，可以一次整合全部周边设施于单晶片中，节省加工晶片所需负担的成本和良率的损失；相对地 ccd 采用电荷传递的方式输出资讯，必须另辟传输通道，如果通道中有一个像素故障（fail），就会导致一整排的讯号壅塞，无法传递，因此ccd的良率比cmos低，加上另辟传输通道和外加 adc 等周边，ccd的制造成本相对高于cmos。　　解析度差异：在第一点“感光度差异”中，由于 cmos 每个像素的结构比 ccd 复杂，其感光开口不及ccd大，相对比较相同尺寸的ccd与cmos感光器时，ccd感光器的解析度通常会优于cmos。不过，如果跳脱尺寸限制，目前业界的cmos 感光原件已经可达到1400万像素 / 全片幅的设计，cmos 技术在量率上的优势可以克服大尺寸感光原件制造上的困难，特别是全片幅 24mm-by-36mm 这样的大小。　　噪点差异：由于cmos每个感光二极体旁都搭配一个 adc 放大器，如果以百万像素计，那么就需要百万个以上的 adc 放大器，虽然是统一制造下的产品，但是每个放大器或多或少都有些微的差异存在，很难达到放大同步的效果，对比单一个放大器的ccd，cmos最终计算出的噪点就比较多。　　耗电量差异：cmos的影像电荷驱动方式为主动式，感光二极体所产生的电荷会直接由旁边的电晶体做放大输出；但ccd却为被动式，必须外加电压让每个像素中的电荷移动至传输通道。而这外加电压通常需要12伏特（v）以上的水平，因此 ccd 还必须要有更精密的电源线路设计和耐压强度，高驱动电压使 ccd 的电量远高于cmos。　　尽管 ccd 在影像品质等各方面均优于cmos，但不可否认的cmos具有低成本、低耗电以及高整合度的特性。由于数码影像的需求热烈，cmos的低成本和稳定供货，成为厂商的最爱，也因此其制造技术不断地改良更新，使得 ccd 与 cmos 两者的差异逐渐缩小。新一代的ccd朝向耗电量减少作为改进目标，以期进入照相手机的行动通讯市场；cmos系列，则开始朝向大尺寸面积与高速影像处理晶片统合，藉由后续的影像处理修正噪点以及画质表现，特别是 canon 系列的 eos d30 、eos 300d 的成功，足见高速影像处理晶片已经可以胜任高像素 cmos 所产生的影像处理时间与能力的缩短；另外，大尺寸全片幅则以 kodak dcs pro14n、dcs pro/n、dcs pro/c 这一系列的数码机身为号召，cmos未来跨足高阶的影像市场产品，前景可期。

ccd是不是真的比cmos差

4，cmos和ccd有什么大的区别

cmos和ccd是2种感光元件，cmos的特点是成本低，耗电低，成像快，多用于手机摄像头，ccd的特点是感光面积大成像效果好，多用于数码相机和摄像机！

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结构和原理不同!

cmos (complementary metal-oxide-semiconductor) 中文译名为互补金属氧化物半导体，可细分为被动式像素传感器(passive pixel sensor cmos)与主动式像素传感器(active pixel sensor cmos)。它原本是计算机系统内一种重要的芯片，保存了系统引导最基本的资料。可是有人偶然间发现，将cmos加工也可以作为数码相机中的影像传感器，紧跟着就由xirlink公司于1999年首次推向市场，2000年5月，美国omnivision公司又推出了新一代的cmos芯片。比较 ccd 和 cmos 的结构，adc的位置和数量是最大的不同。简单的说，按我们在上一讲“ccd 感光元件的工作原理（上）”中所提之内容。ccd每曝光一次，在快门关闭后进行像素转移处理，将每一行中每一个像素（pixel）的电荷信号依序传入“缓冲器”中，由底端的线路引导输出至 ccd 旁的放大器进行放大，再串联 adc 输出；相对地，cmos 的设计中每个像素旁就直接连着 adc（放大兼类比数字信号转换器），讯号直接放大并转换成数字信号。灵敏度同样面积下高感光开口小，灵敏度低成本线路品质影响程度高，成本高 cmos整合集成，成本低解析度连接复杂度低，解析度高低，新技术高噪点比单一放大，噪点低百万放大，噪点高功耗比需外加电压，功耗高直接放大，功耗低　　由于构造上的基本差异，我们可以表列出两者在性能上的表现之不同。ccd的特色在于充分保持信号在传输时不失真（专属通道设计），透过每一个像素集合至单一放大器上再做统一处理，可以保持资料的完整性；cmos的制程较简单，没有专属通道的设计，因此必须先行放大再整合各个像素的资料。　　整体来说，ccd 与 cmos 两种设计的应用，反应在成像效果上，形成包括 iso 感光度、制造成本、解析度、噪点与耗电量等，不同类型的差异：　　iso 感光度差异：由于 cmos 每个像素包含了放大器与a/d转换电路，过多的额外设备压缩单一像素的感光区域的表面积，因此相同像素下，同样大小之感光器尺寸，cmos的感光度会低于ccd。　　成本差异：cmos 应用半导体工业常用的 mos制程，可以一次整合全部周边设施于单晶片中，节省加工晶片所需负担的成本和良率的损失；相对地 ccd 采用电荷传递的方式输出资讯，必须另辟传输通道，如果通道中有一个像素故障（fail），就会导致一整排的讯号壅塞，无法传递，因此ccd的良率比cmos低，加上另辟传输通道和外加 adc 等周边，ccd的制造成本相对高于cmos。　　解析度差异：在第一点“感光度差异”中，由于 cmos 每个像素的结构比 ccd 复杂，其感光开口不及ccd大，相对比较相同尺寸的ccd与cmos感光器时，ccd感光器的解析度通常会优于cmos。不过，如果跳脱尺寸限制，目前业界的cmos 感光原件已经可达到1400万像素 / 全片幅的设计，cmos 技术在量率上的优势可以克服大尺寸感光原件制造上的困难，特别是全片幅 24mm-by-36mm 这样的大小。　　噪点差异：由于cmos每个感光二极体旁都搭配一个 adc 放大器，如果以百万像素计，那么就需要百万个以上的 adc 放大器，虽然是统一制造下的产品，但是每个放大器或多或少都有些微的差异存在，很难达到放大同步的效果，对比单一个放大器的ccd，cmos最终计算出的噪点就比较多。　　耗电量差异：cmos的影像电荷驱动方式为主动式，感光二极体所产生的电荷会直接由旁边的电晶体做放大输出；但ccd却为被动式，必须外加电压让每个像素中的电荷移动至传输通道。而这外加电压通常需要12伏特（v）以上的水平，因此 ccd 还必须要有更精密的电源线路设计和耐压强度，高驱动电压使 ccd 的电量远高于cmos。　　尽管 ccd 在影像品质等各方面均优于cmos，但不可否认的cmos具有低成本、低耗电以及高整合度的特性。由于数码影像的需求热烈，cmos的低成本和稳定供货，成为厂商的最爱，也因此其制造技术不断地改良更新，使得 ccd 与 cmos 两者的差异逐渐缩小。新一代的ccd朝向耗电量减少作为改进目标，以期进入照相手机的行动通讯市场；cmos系列，则开始朝向大尺寸面积与高速影像处理晶片统合，藉由后续的影像处理修正噪点以及画质表现，特别是 canon 系列的 eos d30 、eos 300d 的成功，足见高速影像处理晶片已经可以胜任高像素 cmos 所产生的影像处理时间与能力的缩短；另外，大尺寸全片幅则以 kodak dcs pro14n、dcs pro/n、dcs pro/c 这一系列的数码机身为号召，cmos未来跨足高阶的影像市场产品，前景可期。

普通消费级应该选ccd镜头，高档单反相机很多采用cmos的镜头！目前高档数码相机选ccd和cmos做感光元器件的都有啊！！！

5，数码相机ccd和cmos区别在哪

区别是成像模式不同。就象我们过去的胶片一样是靠卤化银记忆影像。。。 cmos成像要比ccd更细腻了一些...

　　不管，ccd 或 cmos，基本上两者都是利用矽感光二极体（photodiode）进行光与电的转换。这种转换的原理与各位手上具备“太阳电能”电子计算机的“太阳能电池”效应相近，光线越强、电力越强；反之，光线越弱、电力也越弱的道理，将光影像转换为电子数字信号。　　比较 ccd 和 cmos 的结构，adc的位置和数量是最大的不同。简单的说，按我们在上一讲“ccd 感光元件的工作原理（上）”中所提之内容。ccd每曝光一次，在快门关闭后进行像素转移处理，将每一行中每一个像素（pixel）的电荷信号依序传入“缓冲器”中，由底端的线路引导输出至 ccd 旁的放大器进行放大，再串联 adc 输出；相对地，cmos 的设计中每个像素旁就直接连着 adc（放大兼类比数字信号转换器），讯号直接放大并转换成数字信号。两者优缺点的比较 ccd cmos 设计单一感光器感光器连接放大器灵敏度同样面积下高感光开口小，灵敏度低成本线路品质影响程度高，成本高 cmos整合集成，成本低解析度连接复杂度低，解析度高低，新技术高噪点比单一放大，噪点低百万放大，噪点高功耗比需外加电压，功耗高直接放大，功耗低　　由于构造上的基本差异，我们可以表列出两者在性能上的表现之不同。ccd的特色在于充分保持信号在传输时不失真（专属通道设计），透过每一个像素集合至单一放大器上再做统一处理，可以保持资料的完整性；cmos的制程较简单，没有专属通道的设计，因此必须先行放大再整合各个像素的资料。　　整体来说，ccd 与 cmos 两种设计的应用，反应在成像效果上，形成包括 iso 感光度、制造成本、解析度、噪点与耗电量等，不同类型的差异：　　iso 感光度差异：由于 cmos 每个像素包含了放大器与a/d转换电路，过多的额外设备压缩单一像素的感光区域的表面积，因此相同像素下，同样大小之感光器尺寸，cmos的感光度会低于ccd。　　成本差异：cmos 应用半导体工业常用的 mos制程，可以一次整合全部周边设施于单晶片中，节省加工晶片所需负担的成本和良率的损失；相对地 ccd 采用电荷传递的方式输出资讯，必须另辟传输通道，如果通道中有一个像素故障（fail），就会导致一整排的讯号壅塞，无法传递，因此ccd的良率比cmos低，加上另辟传输通道和外加 adc 等周边，ccd的制造成本相对高于cmos。　　解析度差异：在第一点“感光度差异”中，由于 cmos 每个像素的结构比 ccd 复杂，其感光开口不及ccd大，相对比较相同尺寸的ccd与cmos感光器时，ccd感光器的解析度通常会优于cmos。不过，如果跳脱尺寸限制，目前业界的cmos 感光原件已经可达到1400万像素 / 全片幅的设计，cmos 技术在量率上的优势可以克服大尺寸感光原件制造上的困难，特别是全片幅 24mm-by-36mm 这样的大小。　　噪点差异：由于cmos每个感光二极体旁都搭配一个 adc 放大器，如果以百万像素计，那么就需要百万个以上的 adc 放大器，虽然是统一制造下的产品，但是每个放大器或多或少都有些微的差异存在，很难达到放大同步的效果，对比单一个放大器的ccd，cmos最终计算出的噪点就比较多。　　耗电量差异：cmos的影像电荷驱动方式为主动式，感光二极体所产生的电荷会直接由旁边的电晶体做放大输出；但ccd却为被动式，必须外加电压让每个像素中的电荷移动至传输通道。而这外加电压通常需要12伏特（v）以上的水平，因此 ccd 还必须要有更精密的电源线路设计和耐压强度，高驱动电压使 ccd 的电量远高于cmos。　　尽管 ccd 在影像品质等各方面均优于cmos，但不可否认的cmos具有低成本、低耗电以及高整合度的特性。由于数码影像的需求热烈，cmos的低成本和稳定供货，成为厂商的最爱，也因此其制造技术不断地改良更新，使得 ccd 与 cmos 两者的差异逐渐缩小。新一代的ccd朝向耗电量减少作为改进目标，以期进入照相手机的行动通讯市场；cmos系列，则开始朝向大尺寸面积与高速影像处理晶片统合，藉由后续的影像处理修正噪点以及画质表现。

ccd是一种半导体装置，能够把光学影像转化为数字信号。 ccd上植入的微小光敏物质称作像素（pixel）。一块ccd上包含的像素数越多，其提供的画面分辨率也就越高。ccd的作用就像胶片一样，但它是把图像像素转换成数字信号。ccd在摄像机、数码相机和扫描仪中应用广泛，只不过摄像机中使用的是点阵ccd，即包括x、y两个方向用于摄取平面图像，而扫描仪中使用的是线性ccd，它只有x一个方向，y方向扫描由扫描仪的机械装置来完成 cmos制造工艺也被应用于制作数码影像器材的感光元件（常见的有ttl和cmos），尤其是片幅规格较大的单反数码相机。虽然在用途上与过去cmos电路主要作为固件或计算工具的用途非常不同，但基本上它仍然是采取cmos的工艺，只是将纯粹逻辑运算的功能转变成接收外界光线后转化为电能，再透过芯片上的模-数转换器（adc）将获得的影像讯号转变为数字信号输出。

ccd和cmos在制造上的主要区别是ccd是集成在半导体单晶材料上，而cmos是集成在被称做金属氧化物的半导体材料上，工作原理没有本质的区别。ccd只有少数几个厂商例如索尼、松下等掌握这种技术。而且ccd制造工艺较复杂，采用ccd的摄像头价格都会相对比较贵。事实上经过技术改造，目前ccd和cmos的实际效果的差距已经减小了不少。而且cmos的制造成本和功耗都要低于ccd不少，所以很多摄像头生产厂商采用的cmos感光元件。成像方面：在相同像素下ccd的成像通透性、明锐度都很好，色彩还原、曝光可以保证基本准确。而cmos的产品往往通透性一般，对实物的色彩还原能力偏弱，曝光也都不太好，由于自身物理特性的原因，cmos的成像质量和ccd还是有一定距离的。但由于低廉的价格以及高度的整合性，因此在摄像头领域还是得到了广泛的应用。 ccd和cmos的区别：问：既然ccd与cmos都是感光传感器，为何价格如此悬殊，它们之间到底有何区别，对于一般的数码相机新手来说是否要考虑它们的性能等问题。答： ccd是目前比较成熟的成像器件，cmos被看作未来的成像器件。因为cmos结构相对简单，与现有的大规模集成电路生产工艺相同，从而生产成本可以降低。从原理上，cmos的信号是以点为单位的电荷信号，而ccd是以行为单位的电流信号，前者更为敏感，速度也更快，更为省电。现在高级的cmos并不比一般ccd差，但是cmos工艺还不是十分成熟，普通的 smos 一般分辨率低而成像较差。目前的情况是，许多低档入门型的数码相机使用廉价的低档cmos芯片，成像质量比较差。普及型、高级型及专业型数码相机使用不同档次的ccd，个别专业型或准专业型数码相机使用高级的cmos芯片。代表成像技术未来发展的x3芯片实际也是一种cmos芯片。 ccd与cmos孰优孰劣不能一概而论，但一般而言，普及型的数码相机中使用ccd芯片的成像质量要好一些。 2ccd的坏点和修复问题拍摄夜景时或盖上镜头盖长时间曝光时，影像上的色点不一定都是ccd坏点，有的是噪点，ccd温度降低后会有改善，通过固件(firmware)升级有的也能改善。如果ccd真的有坏点可以说是无法维修的，因为那是ccd的硬件问题，对ccd的某个成像单元进行维修几乎是不可能的，也是不经济的，只有换相机或换ccd。