第一，当导通电压小于此电压时二极管不导通(电流可以忽略)；导通电压表示二极管已经导通(一定有不可忽略的电流)。什么是光耦导通电压？二极管的导通电压和导通电压有什么区别？晶体管有多大导通电压？pn结的导通电压是什么？硅二极管的导通电压是什么？当电压达到3v时，如果调压器值为3v的调压器在前面，它就会导通，但调压器值为6v的调压器没有导通，所以电路没有接通，当电压达到6v时，3v和6v都导通。
分类:教育/科学> >科学技术> >工程技术科学分析:你是指cmos集成电路中的mosfet 导通电压吗？对于cmos电路，导通电压左右，即阈值电压与工艺有关。比如0.35um的工艺，pmos的阈值电压在0.7v左右，nmos的阈值电压更小，可能在0.6v左右..工艺越先进，阈值电压越小，例如0.18 μm。pmos的阈值电压可能仅为0.4v左右，nmos的阈值电压可能更小，可能为0.3v左右..
硅二极管:导通电压约0.5~0.7v二极管是电流的单向门。当二极管的阳极相对于阴极的电压为正时，称为“正向偏置”，正向偏置电压大于导通电压由二极管本身的制造材料决定，这样二极管就可以让电流通过你。反之，当极性相反(也称“反向偏置”)或正向偏置电压小于导通电压时，二极管将不允许电流通过。
pn结的伏安特性:a .数学模型:iis (e (v/vt) 1)描述:二极管的正反向特性描述得很好，应该是通过实验室测量二极管的伏安特性曲线，经过数学建模得到的公式，符合客观事实。b，导通电压:由公式画出伏安特性曲线，说明在v不是很大的情况下，i还是一个小值，因为is特别小；当v较大时，i的变化变得明显。所以工程定义是导通电压von。
硅管:npn，基极比发射极大0.7v，但实际使用时pnp在0.5v左右导通，锗管:npn，基极比发射极大0.3vpnp，发射极大于0.3v的硅材料的npn三极管工作在饱和区，集电极和发射极之间会有0.3v左右的电压差。0.3v乘以流过晶体管的电流可以计算出晶体管在使用中的功率。扩展资料:三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中，三极管的电流放大往往通过电阻转化为电压放大。
同时，基区的多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子的浓度比发射区低得多，这种电流可以忽略，所以可以认为发射结主要是电子流。2.基区电子扩散和复合电子进入基区后，首先在发射极结附近聚集，逐渐形成电子浓度差。在浓度差的作用下，电子流被促进向基区的集电极结扩散，并被集电极结的电场拉入集电极区，形成集电极电流ic。
5、二极管的开启电压和 导通电压有什么区别?1。当导通电压小于此电压时，二极管不导通(电流可以忽略)；导通电压表示二极管已经导通(一定有不可忽略的电流)。二、伏安特性曲线1。导通电压以下的部分相当于二极管伏安特性曲线靠近x轴的部分。2.一般开启电压的值是曲线中斜率变化最大的一段(即从几乎平行于x轴到迅速向上弯曲的小段)。3.完全导通后的电压就是导通后正常工作的二极管的压降。这个电压是一个略大于导通电压的值，选择这个值可以保证在二极管正常工作状态下，压降在这个电压附近很小的范围内。
6、光耦 导通电压是多少?光耦的导通压降约为1 ~ 1.5v..r3用于抗干扰。首先，光耦的输入电流通常在2~20ma范围内，大多数情况下通常在5ma以下使用。对于24v输入，光耦压降为1.3v，残压为22.7v，对于6.8k电阻，光耦初级电流约为3.3ma，满足其要求。至于22k的电阻，要看具体应用。大概有两个作用:1)抗干扰和提高可靠性，旨在防止光耦因启动时的电压尖峰或线路干扰而误导通，通过并联电阻释放能量很小的干扰信号而不导致光耦导通；
7、稳压管 导通电压9v(1.2v)，3.6v(6.6v).1.正向串联:0.6v正向串联，电压达到0.6v时，先接第一个，电压达到0.6v时，再接第二个..2.反向串联:6v。当电压达到3v时，如果调压器值为3v的调压器在前面，它就会导通，但调压器值为6v的调压器没有导通，所以电路没有接通，当电压达到6v时，3v和6v都导通。3.一正一负串联:(3v正，6v负)6v。
